| 型号：SI6467BDQ-T1-GE3 | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 描述：MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 6.8A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 12.5 毫欧 @ 8A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 850mV @ 450µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 70nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 1.05W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
| 深圳市格雷迪电子有限公司 | 林先生15914072177 |
| 深圳市创芯联盈电子有限公司 | 陈泽强0755-88291559 |
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